机译:直流和交流条件下带有界面陷阱的p-GeSn / n-Ge二极管的电学特性
机译:电导和电容法表征Au-ZnO纳米棒肖特基二极管的界面陷阱和电性能
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机译:基于GeOx的n-Ge MOS接口中的慢陷阱的表征和理解
机译:AC&DC Zeeman在芯片上用Ultracold被困原子进行干涉感应
机译:使用发光二极管(LED)CDC陷阱在肯尼亚的两个树状病毒病热点中捕捉裂谷热(RVF)载体
机译:DC和AC制度下涉及界面陷阱的P-GESN / N-GE二极管的电气表征